伴隨5g時代的半導(dǎo)體材料和電漿清洗機工藝發(fā)展，對制造工藝提出更高標(biāo)準(zhǔn)：
       伴隨著5g時代半導(dǎo)體材料和電漿清洗機工藝的不斷發(fā)展，對制造工藝提出了更高的標(biāo)準(zhǔn)，尤其是對半導(dǎo)體材料小圓環(huán)表層質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)越來越高。造成這種現(xiàn)象的具體原因是，在當(dāng)前集成電路生產(chǎn)中，晶圓芯片面表面的微粒和金屬材料其它雜物沾污會嚴(yán)重影響元器件的品質(zhì)和產(chǎn)能。目前仍有超過50%的材料因其表面沾污而丟失。

       半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)過程中，幾乎每一道工序都要進(jìn)行清洗，晶圓芯片清洗品質(zhì)的優(yōu)劣嚴(yán)重影響著元器件的性能。正因為芯片清洗是半導(dǎo)體制造過程中最重要、最頻繁的工序，而其工藝品質(zhì)直接影響著設(shè)備的成品率、性能和可靠性，因此國內(nèi)外各大公司、研究所都對清洗工藝進(jìn)行了大量的研究。等離子清洗是1種先進(jìn)的干式清洗工藝，有著環(huán)保節(jié)能等特性，隨之微電子技術(shù)行業(yè)的迅速發(fā)展，等離子清洗機在半導(dǎo)體材料工業(yè)中的用途日漸增加。
       例如鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等都是半導(dǎo)體材料工藝中常見的金屬材料其它雜物，其源頭具體有：各種器皿、管道、實驗試劑，及其半導(dǎo)體材料小圓環(huán)加工過程中，在形成金屬材料互連的同時，還產(chǎn)生各種金屬材料環(huán)境污染。這種其它雜物的脫除通常采用電漿清洗機，由各種試劑和化學(xué)品配制的清洗液與金屬材料離子反應(yīng)生成金屬離子的絡(luò)合物，從片面分離開來。
氧化物，與氧和水接觸的環(huán)境中，半導(dǎo)體材料小圓環(huán)表面會形成一層天然氧化物。這種氧化膜不僅阻礙了半導(dǎo)體材料電漿清洗機制造過程的多個步驟，而且還含有某些金屬材料其它雜物，在特定條件下，這些其它雜物會轉(zhuǎn)移到小圓環(huán)上形成電缺陷。這種氧化膜的脫除通常是用稀氫氟酸浸液來完成的。