1、用不同材料的鈍化膜芯片進行等離子清洗試驗中發(fā)現(xiàn)，研究膜層材料對等離子清洗過程的響應情況。試驗中選取不同種類的氮化硅和聚酰亞胺鈍化膜的芯片10只，經過多次等離子清洗后，放大200倍觀察芯片表面的狀態(tài)。
聚酰亞胺鈍化膜的芯片在經過等離子清洗后可能會出現(xiàn)鈍化膜局部略微凸起的圈狀起皺現(xiàn)象，不同鈍化膜材料對等離子清洗響應的差異較大。起皺芯片的整個聚酰亞胺鈍化膜為完整連續(xù)的，起皺部位沒有出現(xiàn)裂紋，且下層的鋁條和硅基體沒有損傷。
2、等離子清洗，設備功率對78L12芯片的影響
等離子清洗過程中的時間（400 s）保持不變，通過改變等離子清洗功率，研究等離子清洗功率對78L12芯片的影響規(guī)律。等離子清洗功率為100 W、200 W、300 W、400 W、500 W時，78L12芯片的常溫和加熱條件下（85 ℃）輸出電壓的變化，在等離子清洗時間和氣氛不變的前提下，隨著清洗功率的增加，等離子清洗前后78L12芯片在常溫和加熱條件下輸出電壓變化量均呈近似線性增加的趨勢。在等離子清洗功率和氣氛不變的前提下，隨著清洗時間的增加，等離子清洗前后78L12芯片的常溫和加熱條件下輸出電壓變化量不斷增加，并趨于穩(wěn)定。
3、退火工藝對78L12芯片電性能的影響
將常規(guī)工藝等離子清洗后78L12芯片置于150 ℃的空氣環(huán)境中存儲4 h，隨后測試其輸出電壓，結果將等離子清洗后的78L12芯片置于150 ℃的空氣中退火4 h后，芯片的輸出電壓顯著回落。加熱條件下儲存環(huán)境加速了芯片材料內部原子的運動速度和振動頻率，促使原子向平衡狀態(tài)的轉變，表現(xiàn)為78L12芯片輸出電壓的回落。這也說明等離子清洗中78L12芯片電壓的升高是一個可逆的過程，芯片內部并未
發(fā)生擊穿性損傷。
4、加電老煉對78L12芯片電性能的影響
將退火后的78L12芯片在125 ℃下老煉168 h后，測量芯片的輸出電壓，見表4。78L12芯片經過功率老煉考核之后，輸出電壓值穩(wěn)定。相比于等離子清洗之前測定的初始電壓，老煉后的輸出電壓略有下降，這是等離子清洗后芯片退火不徹底，在125 ℃、168 h的加熱條件下誘導下退火過程持續(xù)進行，輸出
電壓進一步下降。
5、氮化硅膜芯片在多次等離子清洗后未出現(xiàn)鈍化膜起皺的現(xiàn)象。因此，對于聚酰亞胺膜的芯片，需控制等離子清洗的次數(shù)，即進行一次等離子清洗。而氮化硅鈍化膜的芯片可以進行多次等離子清洗，無圈狀起皺的風險。
在等離子清洗對芯片電性能影響的研究中發(fā)現(xiàn)，隨著等離子清洗功率和時間的增加，78L12芯片的輸出電壓均呈增加的趨勢。在等離子清洗過程中造成芯片的輸出電壓的變化是一個可逆的過程，在退火及加電老煉等過程中，輸出電壓逐漸回落，恢復平衡。因此，等離子清洗過程未對芯片造成不可恢復的電性能損傷，芯片的長期可靠性得以保證。

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