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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

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等離子體清洗方法在太陽(yáng)能硅片表面的工藝應(yīng)用

      等離子體清洗方法可以清洗硅片表面的殘留物,并且其成本低,勞動(dòng)量小,工作效率高。接下來(lái)詳細(xì)分析等離子清洗方法在硅片的清洗流程以及工藝參數(shù)

等離子體清洗方法

1、硅片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法,它包括以下步驟:首先進(jìn)行沖洗流程,然后進(jìn)行該氣體等離子體啟輝;所用氣體選自02、Ar、 N2中的任-種;氣體沖洗流程的工藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力10-40毫托,工藝氣體流量100-500sccm,時(shí)間1-5s;過(guò)程的T藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力1040毫托,工藝氣體流量100-500sccm,上電極功率 250-400W, 時(shí)間1-10s;
2、等離子體清洗方法,其特征在于所用氣體為02;
3、等離子體清洗方法,其特征在于4 i體沖洗流程的工藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力15毫托,工藝氣體流量300sccm,時(shí)間3s;啟輝過(guò)程的工藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力15 亳托,工藝氣體.流量300sccm,. 上電極功率300W,時(shí)間Ss;
4、等離子體清洗方法,其特征在于氣體沖洗流程的工藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力10-20亳托,工藝氣體流量100-300sccm,時(shí)間1-5s;啟輝過(guò)程的工藝參數(shù)設(shè)置為:(腔室壓力10-20毫托,工藝氣體流量100-300ccm,上電極功率 250-400W,時(shí)閭1-5s;
5、等離子體清洗方法,其特征在于氣體沖沈流程的I.藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力15毫托,工藝體流量300ccm,時(shí)間3s;過(guò)程的工藝參數(shù)設(shè)置為:腔室壓力15亳托,工藝體流量300sccm,上電極 功率300W,時(shí)間Ss等離子清洗涉及刻蝕工藝領(lǐng)域,并且完全滿足去除刻蝕工藝后硅片表面殘留顆粒的清洗.
       等離子體清洗方法在刻蝕過(guò)程中,顆粒的米源很多:刻蝕用氣體如C12、HBr、CF4等都具有腐蝕性,刻蝕結(jié)束后會(huì)在硅片表面產(chǎn)生一定數(shù)量的顆粒:反應(yīng)室的石英蓋也會(huì)在等離子體的轟擊作用下產(chǎn)生石英顆粒:反應(yīng)室內(nèi)的內(nèi)襯也會(huì)在較長(zhǎng)時(shí)間的刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生金屬顆粒。刻蝕后硅片表面殘留的顆粒會(huì)阻礙導(dǎo)電連接,導(dǎo)致器件損壞。因此,在刻蝕工藝過(guò)程中對(duì)顆粒的控制很重要。

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